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一种高消光比的偏振分束器结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110716081.5
  • IPC分类号:G02B6/12;G02B6/122
  • 申请日期:
    2021-06-28
  • 申请人:
    西安奇芯光电科技有限公司
著录项信息
专利名称一种高消光比的偏振分束器结构
申请号CN202110716081.5申请日期2021-06-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2021-08-13公开/公告号CN113253384A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/12IPC分类号G;0;2;B;6;/;1;2;;;G;0;2;B;6;/;1;2;2查看分类表>
申请人西安奇芯光电科技有限公司申请人地址
陕西省西安市高新区上林苑一路15号B栋二层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安奇芯光电科技有限公司当前权利人西安奇芯光电科技有限公司
发明人郭菲;程东
代理机构西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)代理人梁静
摘要
本发明公开了一种高消光比的偏振分束器结构,属于光器件技术领域。包括依次设置的输入区、TE模式耦合区、TM模式耦合区、输出区;输入区:包括输入波导;TE模式耦合区:第一TE模式耦合波导和第二TE模式耦合波导;TM模式耦合区:第一TM模式耦合波导、第二TM模式耦合波导及第三TE模式耦合波导,输出区:第一输出波导和第二输出波导;第一TE模式耦合波导和第二TE模式耦合波导均为条形直波导结构;第二TM模式耦合波导为脊形直波导结构。本发明通过分别设计TE模式和TM模式的非对称波导耦合结构,即可实现低插入损耗、高消光比特性和宽带传输特性。

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