一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201920251219.7
IPC分类号：H01L29/78;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/06
申请日期：
2019-02-27
申请人：
四川美阔电子科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管
申请号	CN201920251219.7	申请日期	2019-02-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;4;7;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	四川美阔电子科技有限公司	申请人地址	四川省遂宁市经济技术开发区玉龙路598号创新创业孵化中心办公楼五楼5001-5002号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	四川美阔电子科技有限公司	当前权利人	四川美阔电子科技有限公司
发明人	叶荣辉
代理机构	成都行之专利代理事务所（普通合伙）	代理人	张严芳

摘要

本实用新型提供了一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，解决了现有金氧半场效晶体管在应用于高压或高速切换频率时，制作成本高，增加漏电流，降低金氧半场效晶体管的稳定性，产品的结构复杂，产品体积大且良率低的问题。本实用新型包括基板，所述基板的上表面设置有磊晶层，所述磊晶层上形成有第一介电层，所述第一介电层的部分表面形成有至少一个闸极，未被闸极覆盖的所述磊晶层上掺杂形成有至少一个本体，所述本体的部分区域掺杂形成有至少一个源极区，所述第一介电层和所述闸极上形成有第二介电层，所述第二介电层上设置有源极，所述基板、磊晶层、本体及源极区均为半导体。本实用新型具有排除累计电荷快，产品构造简单及体积小等优点。

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