石墨烯复合电极材料的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310746256.2
IPC分类号：H01G9/042;B82Y40/00
申请日期：
2013-12-30
申请人：
深圳市华星光电技术有限公司

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著录项信息

专利名称	石墨烯复合电极材料的制备方法
申请号	CN201310746256.2	申请日期	2013-12-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-04-23	公开/公告号	CN103745829A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G9/042 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G9/00 电解电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件；其制造方法〔2〕 H01G9/004 零部件〔6〕 H01G9/04 电极〔6〕 H01G9/042 以材料为特征的（H01G 11/22优先）〔6〕	IPC分类号	H;0;1;G;9;/;0;4;2;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	深圳市华星光电技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市华星光电技术有限公司	当前权利人	深圳市华星光电技术有限公司
发明人	王烨文
代理机构	深圳市德力知识产权代理事务所	代理人	林才桂

摘要

本发明提供一种石墨烯复合电极材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1、提供玻璃基板，该玻璃基板的熔点大于1100℃；步骤2、清洗玻璃基板后，在玻璃基板上形成金属薄膜；步骤3、图案化该金属薄膜，以形成电路图形；步骤4、在电路图形上形成石墨烯薄膜，以制得石墨烯复合电极材料。本发明的石墨烯复合电极材料的制备方法，通过耐高温玻璃基板与金属催化剂，在电路图形表面直接生长石墨烯薄膜，不需转移，不会受转移中溶剂影响，成膜质量较高且无需蚀刻，直接形成石墨烯复合电极材料，制程简单，且，由于石墨烯化学性质很稳定，可以起到保护金属电路图形的作用，进而有效延长石墨烯复合电极材料的使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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