一种高效率的半导体发光元件及半导体发光装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201921213866.5
IPC分类号：H01L33/08;H01L33/06;H01L33/64;H01L33/58
申请日期：
2019-07-30
申请人：
深圳创富天成电子科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种高效率的半导体发光元件及半导体发光装置
申请号	CN201921213866.5	申请日期	2019-07-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/08 具有多个在半导体中集成的发光区，例如横向不连续发光层或光致发光区（H01L 27/15优先）〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;8;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4;;;H;0;1;L;3;3;/;5;8查看分类表>
申请人	深圳创富天成电子科技有限公司	申请人地址	广东省深圳市南昌健裕第一工业区1栋201 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳创富天成电子科技有限公司	当前权利人	深圳创富天成电子科技有限公司
发明人	赵智;赵俊;赵贤
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	王滔;郭宝煊

摘要

本实用新型属于半导体的技术领域，具体涉及一种高效率的半导体发光元件，包括若干个半导体层(1)，相邻两个所述半导体层(1)的电性不相同，相邻两个半导体层(1)之间设置有发光层(2)，最顶部的所述半导体层(1)的上方和最底部的所述半导体层(1)的下方均设置有绝缘沟槽层(3)，所述绝缘沟槽层(3)内填充有散热材料(4)，若干个所述半导体层(1)形成的侧部设置有透光板(5)，所述透光板(5)的表面固定有发散层(6)。本实用新型采用易于生产的设计，有助于降低生产成本，同时，能够进行多面发光，有助于提高半导体发光元件的发光效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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