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一种真空离心式闪烁晶体阵列制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110197080.4
  • IPC分类号:G01T1/202
  • 申请日期:
    2021-02-22
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第二十六研究所
著录项信息
专利名称一种真空离心式闪烁晶体阵列制作方法
申请号CN202110197080.4申请日期2021-02-22
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-05-11公开/公告号CN112782746A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01T1/202IPC分类号G;0;1;T;1;/;2;0;2查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第二十六研究所申请人地址
重庆市南岸区南坪花园路14号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第二十六研究所当前权利人中国电子科技集团公司第二十六研究所
发明人董鸿林;王强;王璐;丁雨憧;方承丽
代理机构重庆博凯知识产权代理有限公司代理人李海华
摘要
本发明公开了一种真空离心式闪烁晶体阵列制作方法,采用装夹夹具对多根闪烁晶条进行装夹定位,然后向固化容器的初步固化槽内倒入混合胶液,多根阵列分布的闪烁晶条下端与槽内的混合胶液接触,然后与固化容器一同进行真空干燥,将固化容器、装夹夹具与多根阵列分布的闪烁晶条相互分离,得到底部具有胶层的初步闪烁晶体阵列;完全固化槽内倒满混合胶液,将离心容器与初步闪烁晶体阵列一同真空混料设备中真空离心,将真空离心后的离心容器与初步闪烁晶体阵列一同进行真空干燥,将离心容器与初步闪烁晶体阵列分离,得到闪烁晶体阵列。本发明能够提高闪烁晶体阵列中反射层的尺寸一致性,并排除反射层内的空气,提高闪烁晶体阵列的反射性能。

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