两步法卷对卷制备钙钛矿薄膜的连续制备装置及工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN202010138535.0
IPC分类号：H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
申请日期：
2020-03-04
申请人：
江苏集萃分子工程研究院有限公司

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专利名称	两步法卷对卷制备钙钛矿薄膜的连续制备装置及工艺
申请号	CN202010138535.0	申请日期	2020-03-04
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-19	公开/公告号	CN111312903A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/42 专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6;;;H;0;1;L;5;1;/;4;8查看分类表>
申请人	江苏集萃分子工程研究院有限公司	申请人地址	江苏省苏州市常熟高新技术开发区贤士路88号6-7幢202 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏集萃分子工程研究院有限公司	当前权利人	江苏集萃分子工程研究院有限公司
发明人	郑永强;张宇;高辉;孙国平;欧阳俊波;韩长峰;冯宗宝;钱磊;张德龙
代理机构	苏州华博知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开了两步法卷对卷制备钙钛矿薄膜的连续制备装置及工艺，包括有沿基材传输方向依次设置的基材放卷装置、无机组分涂布装置、无机组分干燥退火装置、有机组分涂布装置、有机组分干燥退火装置、保护膜装置以及收卷装置；所述基材放卷装置包括有放卷轴，所述收卷装置包括有收卷轴；所述无机组分干燥退火装置与有机组分干燥退火装置均包括有箱体以及设置在所述箱体内的加热装置，所述保护膜装置包括有保护膜背辊以及与所述保护膜背辊对应设置的保护膜执行机构，实现钙钛矿薄膜在柔性基材上的规模化生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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