一种新型阻容复合芯片及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011228795.3
IPC分类号：H01G2/10;H01G2/22;H01G13/00;H01G17/00
申请日期：
2020-11-06
申请人：
重庆工程职业技术学院

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著录项信息

专利名称	一种新型阻容复合芯片及其制造方法
申请号	CN202011228795.3	申请日期	2020-11-06
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-02-23	公开/公告号	CN112397306A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G2/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G2/00H0 1G4/00-H01G 11/00组中单个组未包含的电容器的零部件〔6〕 H01G2/10 外壳；封装〔6〕	IPC分类号	H;0;1;G;2;/;1;0;;;H;0;1;G;2;/;2;2;;;H;0;1;G;1;3;/;0;0;;;H;0;1;G;1;7;/;0;0查看分类表>
申请人	重庆工程职业技术学院	申请人地址	重庆市江津区滨江新城南北大道1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆工程职业技术学院	当前权利人	重庆工程职业技术学院
发明人	贺晓辉;蒋雨芯;石磊;朱永丽;赵世纪
代理机构	重庆乐泰知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种新型阻容复合芯片及其制造方法，涉及半导体技术领域，包括电阻芯片、电容芯片、两根引线，以及用于包覆电阻芯片和电容芯片的保护层；电阻芯片与电容芯片并联连接，两根引线平行设置，并分别与电阻芯片两面的电极连接，保护层为聚氨酯丙烯酸酯大分子单体经过聚合、交联、固化而成，保护层内分散有碳纳米管，碳纳米管内填充有氧化铁。本发明能够有效防止电压突变，吸收尖峰状态的过电压，避免与其并联的器件造成损坏。此外，聚氨酯丙烯酸酯大分子单体加工成的保护层透明度好，拉伸强度、冲击强度、硬度等机械性能强，热变形温度高，不易破碎，较玻璃防护层更加安全耐用、较二氧化硅保护层对光的穿透性更高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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