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发光元件以及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201180062905.6
  • IPC分类号:H01L33/10
  • 申请日期:
    2011-07-04
  • 申请人:
    株式会社东芝
著录项信息
专利名称发光元件以及其制造方法
申请号CN201180062905.6申请日期2011-07-04
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-09-04公开/公告号CN103283042A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/10IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;1;0查看分类表>
申请人株式会社东芝申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社东芝当前权利人株式会社东芝
发明人布谷伸仁,赤池康彦,井上佳代,近藤且章,松永德彦
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人杨谦,胡建新
摘要
根据实施方式,发光元件具备:包括发光层的半导体层叠体,在半导体层叠体之上与半导体层叠体直接地连接的第一上部电极,至少一个第二上部电极,从第一上部电极延伸,在半导体层叠体之上隔着第一接触层与半导体层叠体连接,以及设置在半导体层叠体之下的下部电极。发光元件具备:透明导电层,设置在半导体层叠体与下部电极之间,透射从发光层发出的光,设置在透明导电层与下部电极之间的光反射层,以及电流阻止层,设置在半导体层叠体与透明导电层之间以及半导体层叠体与第一上部电极以及第二上部电极之间的至少任一方,从相对于发光层的主面垂直的方向观察时,选择性地设置有至少一个狭缝。

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