加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

传感器阵列的多阶段自电容扫描

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201780076684.5
  • IPC分类号:G06F3/044
  • 申请日期:
    2017-08-16
  • 申请人:
    赛普拉斯半导体公司
著录项信息
专利名称传感器阵列的多阶段自电容扫描
申请号CN201780076684.5申请日期2017-08-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-07-23公开/公告号CN110050253A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F3/044IPC分类号G;0;6;F;3;/;0;4;4查看分类表>
申请人赛普拉斯半导体公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人赛普拉斯半导体公司当前权利人赛普拉斯半导体公司
发明人安德理·马哈瑞塔
代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司代理人张瑞;杨明钊
摘要
本文描述了用于传感器阵列的多阶段自电容(MPSC)扫描的技术。在示例实施例中,设备包括耦合到处理逻辑的传感器逻辑。传感器逻辑被配置成在多个扫描操作的每一个扫描操作中同时感测传感器阵列的多个传感器元件,以便获得多个测量值,其中每个测量值表示多个传感器元件的在相对应的扫描操作期间累积的收集电荷。处理逻辑被配置成基于所获得的多个测量值来确定数据值,其中数据值分别表示多个传感器元件的自电容。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供