光检测器电路及其检测方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110412720.5
IPC分类号：G01J1/42;G01J1/44
申请日期：
2011-12-12
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	光检测器电路及其检测方法
申请号	CN201110412720.5	申请日期	2011-12-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-06-19	公开/公告号	CN103162821A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01J1/42 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法〔2〕 G01J1/00 光度测定法，例如照相的曝光表（分光光度测定法入G01J 3/00；专用于辐射高温测定法的入G01J 5/00） G01J1/42 采用电辐射检测器（光学或机械部件入G01J 1/04；与基准光或基准电参数作比较的入G01J 1/10）	IPC分类号	G;0;1;J;1;/;4;2;;;G;0;1;J;1;/;4;4查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	周平;李一天;王梓
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种光检测器电路，包括两个三极管、五个PMOS管、两个NMOS管和一个反相器。其中第一三极管受到光照时输出的光电流经放大后到达第二节点。输入端的输入电流经过缩小后也到达第二节点。第二节点处放大后的光电流和缩小后的输入电流的大小关系，决定了输出端的电平信号。本发明还公开了所述光检测器电路的检测方法。本发明所述的光检测器电路及其检测方法中，所有器件都可由标准CMOS工艺制造，因而可完全于半导体集成电路中实现，具有面积小的特点。由此还带来了功耗低的特点。该光检测器电路可以实现光照度从200～20000lux的检测，并且反应灵敏、可靠稳定。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供