微机电传感器与制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910007884.2
IPC分类号：B81C1/00;B81B7/02
申请日期：
2009-02-20
申请人：
原相科技股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	微机电传感器与制作方法
申请号	CN200910007884.2	申请日期	2009-02-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-08-25	公开/公告号	CN101811657A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2查看分类表>
申请人	原相科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	原相科技股份有限公司	当前权利人	原相科技股份有限公司
发明人	王传蔚
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	陈肖梅;谢丽娜

摘要

本发明涉及一种微机电传感器与制作方法。本发明的微机电传感器包含：部分挖空的基板；位于基板挖空部分上方的悬浮结构；以及与悬浮结构至少部分区隔开的上方结构，其中该悬浮结构与上方结构通过包含金属蚀刻的步骤而区隔开，且该悬浮结构包含金属层和包覆金属层的介电材料，该上方结构包含金属层和位于金属层下方的介电材料。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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