一种碳化硅N沟道双极型功率器件的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110473075.1
IPC分类号：H01L21/331;H01L21/304;H01L21/324;H01L21/04;H01L29/161
申请日期：
2021-04-29
申请人：
中国电子科技集团公司第五十五研究所

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专利名称	一种碳化硅N沟道双极型功率器件的制备方法
申请号	CN202110473075.1	申请日期	2021-04-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-24	公开/公告号	CN113299552A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/331 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/328 制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺〔5〕 H01L21/33 包括3个或更多电极的器件〔5〕 H01L21/331 晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;0;4;;;H;0;1;L;2;9;/;1;6;1查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第五十五研究所	申请人地址	江苏省南京市秦淮区中山东路524号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第五十五研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第五十五研究所
发明人	杨晓磊;柏松
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司	代理人	曹芸

摘要

本发明公开了一种碳化硅N沟道双极型功率器件的制备方法，属于半导体器件领域。该方法首先通过在N型碳化硅衬底上依次生长P+外延层、N+缓冲层以及N‑漂移层，其次在该外延片上通过引入载流子寿命提升工艺，器件正面MOS制备工艺，器件背面衬底减薄工艺以及激光退火工艺，最终实现了碳化硅N沟道双极型功率器件的制备。该方法通过引入载流子寿命提升工艺，增强了该双极型功率器件的电导调制效应，有效降低了该器件的比导通电阻和导通损耗。同时该方法不仅避免了采用高阻P型碳化硅衬底材料，而且器件的正面制备工艺与MOSFET器件制备工艺相兼容，在节约成本的同时，风险更小，也更易于在工业上制备。

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