高密度微腔阵列以及使用了该高密度微腔阵列的测定方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201680033367.0
IPC分类号：B81B1/00;C12M1/00;G01N33/48;G01N37/00
申请日期：
2016-06-07
申请人：
国立研究开发法人科学技术振兴机构

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法律信息

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著录项信息

专利名称	高密度微腔阵列以及使用了该高密度微腔阵列的测定方法
申请号	CN201680033367.0	申请日期	2016-06-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-02-16	公开/公告号	CN107709223A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B1/00 不具有活动或柔性元件的装置，例如微毛细管装置〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;1;/;0;0;;;C;1;2;M;1;/;0;0;;;G;0;1;N;3;3;/;4;8;;;G;0;1;N;3;7;/;0;0查看分类表>
申请人	国立研究开发法人科学技术振兴机构	申请人地址	日本埼玉县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国立研究开发法人科学技术振兴机构	当前权利人	国立研究开发法人科学技术振兴机构
发明人	渡边力也;野地博行;曾我直树
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	暂无

摘要

本发明构成为，具备具有透光性的平坦的基板；设置有多个微腔的疏水层；以及形成在多个微腔的开口部的脂质双重膜，在每个微腔内设置有电极，在基板中，在将设置有疏水层的一侧设为上方时，通过满足下述A)以及B)中的至少任一者，从而从基板的下方向基板入射的光透射基板而向微腔的内部进入，并且从微腔的内部向基板入射的光透射基板而向基板的下方逃逸。A)电极设置在每个微腔的内侧面。B)电极作为透明电极而设置在每个微腔的底面。

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