半导体封装装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110580079.X
IPC分类号：H01L23/488;H01L21/50;H01L23/538;H01L21/768
申请日期：
2021-05-26
申请人：
日月光半导体制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体封装装置及其制造方法
申请号	CN202110580079.X	申请日期	2021-05-26
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-09-10	公开/公告号	CN113380748A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/488 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	日月光半导体制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日月光半导体制造股份有限公司	当前权利人	日月光半导体制造股份有限公司
发明人	凃顺财
代理机构	北京植德律师事务所	代理人	唐华东

摘要

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：第一芯片，第一芯片的第一表面设置有第一导电衬垫；第二芯片，设置于第一芯片的第一表面，第一芯片和第二芯片通过粘合层连接，第二芯片的朝向第一芯片的一侧设置有第一重布线线路，第一重布线线路与第二芯片表面的第二导电衬垫电连接；第二芯片和粘合层上设置有开孔，开孔贯穿第二芯片和粘合层，开孔内填充有导电材，导电材将第一导电衬垫和第一重布线线路电连接。该半导体封装装置缩短了第一芯片和第二芯片之间的电连接路径，有利于实现更好的电连接效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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