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电离层的压缩层析成像方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110228343.X
  • IPC分类号:G06T11/00
  • 申请日期:
    2011-08-10
  • 申请人:
    中国科学院电子学研究所
著录项信息
专利名称电离层的压缩层析成像方法
申请号CN201110228343.X申请日期2011-08-10
法律状态撤回申报国家暂无
公开/公告日2013-02-13公开/公告号CN102930562A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06T11/00IPC分类号G;0;6;T;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院电子学研究所申请人地址
北京市海淀区北四环西路19号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院电子学研究所当前权利人中国科学院电子学研究所
发明人李芳;李廉林;刘艳丽
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人周国城
摘要
本发明公开了一种电离层的压缩层析成像方法(ComputerizedIonosphereTomography,CIT),包括:步骤一:计算投影矩阵;步骤二:基于GPS原始数据计算TEC;步骤三:选择稀疏变换;步骤四:构造稀疏约束的优化目标函数;步骤五:求解步骤四所得的优化函数,完成电离层层析成像。本发明方法解决了传统电离层层析成像由于有限的观测数据导致的成像结果不确定的问题。该技术基于电离层电子密度分布的可压缩性(或可稀疏性),实现基于有限观测数据的高精度电离层成像。

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