用于表征等离子体处理室内的膜的射频偏置电容耦合静电(RFB-CCE)探针装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200980126806.2
IPC分类号：H01L21/66;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/302
申请日期：
2009-07-07
申请人：
朗姆研究公司

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专利名称	用于表征等离子体处理室内的膜的射频偏置电容耦合静电(RFB-CCE)探针装置
申请号	CN200980126806.2	申请日期	2009-07-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-01	公开/公告号	CN102084472A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;2查看分类表>
申请人	朗姆研究公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	朗姆研究公司	当前权利人	朗姆研究公司
发明人	杰-保罗·布斯;吕克·阿尔巴雷德;金容;道格拉斯·L·凯尔
代理机构	上海胜康律师事务所	代理人	周文强;李献忠

摘要

本发明提供一种表征衬底处理中处理室内衬底沉积膜的方法。该方法包括当测量电容器设定在第一电容值时，确定探针头的电压-电流特性。该方法还包括当测量电容器设定在大于第一电容值的电容值时，将射频列运用到探针头上。该方法进一步包括为沉积膜提供初始电阻值和初始电容值。该方法还包括运用初始电阻值、初始电容值以及电压-电流特性生成模拟电压-时间曲线。该方法还进一步包括确定测量电压-时间曲线，该测量电压-时间曲线反映射频列跨越沉积膜的电位降。该方法还包括比较该两条曲线。如果二者差值小于预定阈值，运用初始电阻值和初始电容值来表征沉积膜。

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