一种InP晶体生长设备

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202120253843.8
IPC分类号：C30B29/40;C30B25/02;C30B25/16
申请日期：
2021-01-29
申请人：
中锗科技有限公司

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专利名称	一种InP晶体生长设备
申请号	CN202120253843.8	申请日期	2021-01-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/40 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/40 AⅢBv化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;0;;;C;3;0;B;2;5;/;0;2;;;C;3;0;B;2;5;/;1;6查看分类表>
申请人	中锗科技有限公司	申请人地址	江苏省南京市溧水开发区中兴东路9号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中锗科技有限公司	当前权利人	中锗科技有限公司
发明人	罗福敏;柯尊斌;王卿伟
代理机构	南京中律知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李建芳

摘要

本实用新型公开了一种InP晶体生长设备，包括炉体、法兰盖、真空泵和连接管；法兰盖活动连接在炉体顶部，法兰盖与炉体顶部之间设有两道以上的密封圈；法兰盖上设有气孔和观察管；连接管一端与气孔顶部对接连通、另一端设有球阀，真空泵通过管路与连接管的侧壁连通；观察管一端位于法兰盖外侧、另一端穿过法兰盖伸入炉体内；法兰盖内侧中央位置设有可拆卸的籽晶盘；炉体自底部起沿高度方向依次分割为第一温区、第二温区和第三温区；炉体侧壁包括从内到外依次相接的反应釜、保温层、加热层、隔热层和外壳。上述设备，方便观察反应釜内晶体生长情况，保温隔热效果好，密封好，降低了晶体的位错密度，提高了均匀性和良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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