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耐高温碳化硅欧姆接触结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201720867869.5
IPC分类号：H01L29/45
申请日期：
2017-07-18
申请人：
西安电子科技大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	耐高温碳化硅欧姆接触结构
申请号	CN201720867869.5	申请日期	2017-07-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/45 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕 H01L29/43 以形成材料为特征的〔6〕 H01L29/45 欧姆电极〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;5查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市太白南路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	张艺蒙;张玉明;李彦良;宋庆文;汤晓燕
代理机构	西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘长春

摘要

本实用新型涉及一种耐高温碳化硅欧姆接触结构，包括：SiC衬底(10)、SiC外延层(20)以及依次设置于所述SiC外延层表面的Ni金属层(30)、W金属层(40)、TaSi2金属层(50)、Pt金属层(60)。本实用新型提供的耐高温碳化硅欧姆接触结构在高温、空气环境下有着良好热稳定性和电学特性。

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