显示装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200810131294.6
IPC分类号：H01L27/12;H01L29/786;H01L29/12;G02F1/1362
申请日期：
2008-08-04
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	显示装置
申请号	CN200810131294.6	申请日期	2008-08-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-02-18	公开/公告号	CN101369587
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;9;/;1;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;2查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	山崎舜平;荒井康行;铃木幸惠;黑川义元
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	侯颖媖

摘要

本发明的目的在于提供一种显示装置及生产率高地制造其的方法，所述显示装置具有电特性优越且可靠性高的p沟道型薄膜晶体管及n沟道型薄膜晶体管。本发明之一是一种显示装置，包括：反交错型p沟道型薄膜晶体管和n沟道型薄膜晶体管，该p沟道型薄膜晶体管和n沟道型薄膜晶体管在栅电极上顺序层叠有栅极绝缘膜、微晶半导体膜、以及非晶半导体膜，并且还包括形成在非晶半导体膜上的一对n型半导体膜或p型半导体膜、以及形成在一对n型半导体膜或p型半导体膜上的一对布线，其中微晶半导体膜包含1×1016atoms/cm3以下的氧。此外，n沟道型薄膜晶体管的迁移率为10cm2/V·s以上且45cm2/V·s以下，而p沟道型薄膜晶体管的迁移率为0.3cm2/V·s以下。

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