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离子束检查装置、离子束检查方法、半导体制造装置以及离子源装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810125878.2
  • IPC分类号:H01L21/66;H01L21/265;H01J37/244
  • 申请日期:
    2008-04-09
  • 申请人:
    精工电子有限公司
著录项信息
专利名称离子束检查装置、离子束检查方法、半导体制造装置以及离子源装置
申请号CN200810125878.2申请日期2008-04-09
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-11-12公开/公告号CN101303956
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;J;3;7;/;2;4;4查看分类表>
申请人精工电子有限公司申请人地址
日本千叶县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人艾普凌科有限公司当前权利人艾普凌科有限公司
发明人伊藤雅彰
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人刘杰;刘宗杰
摘要
离子束检查装置、离子束检查方法、半导体制造装置以及离子源装置。源头的中心轴和引出电极排在一条直线上,并通过激光束确定该直线和离子束轴是否同轴。因此,将离子束轴上的发射激光束的光发射单元装配到外壳以代替源头,并将反射激光束的反射镜装配到引出电极。光发射装置还具有检测激光束的功能以检测由反射镜反射的激光束,并将该检测的激光束的强度发送到控制单元。调节引出电极的位置以便使激光束的强度变为最大,由此离子束轴可以和离子源及引出电极的中心轴相重合。

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