用于电子束源涂覆的坩埚盖

发明专利有效专利

申请号：
CN201880099905.5
IPC分类号：C23C14/24;C23C14/30;C23C14/56;F27B14/12
申请日期：
2018-11-30
申请人：
磁性流体技术（美国）公司

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著录项信息

专利名称	用于电子束源涂覆的坩埚盖
申请号	CN201880099905.5	申请日期	2018-11-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-06	公开/公告号	CN113227438A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/24 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/24 真空蒸发〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;2;4;;;C;2;3;C;1;4;/;3;0;;;C;2;3;C;1;4;/;5;6;;;F;2;7;B;1;4;/;1;2查看分类表>
申请人	磁性流体技术（美国）公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	磁性流体技术（美国）公司	当前权利人	磁性流体技术（美国）公司
发明人	C·克罗内贝格尔
代理机构	北京金阙华进专利事务所（普通合伙）	代理人	陈建春;吴召玲

摘要

盖结构包括用于覆盖电子束源组合件内的坩埚的至少两个部件。盖包括盖体和在盖体被升高和降低时将与盖体分开并由盖体承载的盖嵌件。该结构还使盖嵌件能降低到直到承靠在坩埚上为止。在盖嵌件与坩埚之间接触时，盖嵌件可部分地与盖体分离，从而使盖体能稍微进一步地向下行进，进而使其能与包围坩埚的水冷体接触，同时确保坩埚嵌件与坩埚良好接触。闭合该间隙有助于阻止从工作的坩埚袋蒸发的材料在蒸发过程期间迁移到位于盖下方的不活动袋。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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