在半导体晶片上形成铜层的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN00108203.5
IPC分类号：--
申请日期：
2000-04-28
申请人：
摩托罗拉公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	在半导体晶片上形成铜层的方法
申请号	CN00108203.5	申请日期	2000-04-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2000-11-08	公开/公告号	CN1272685
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	摩托罗拉公司	申请人地址	美国特拉华州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	超大规模集成电路技术有限责任公司,NXP美国公司	当前权利人	超大规模集成电路技术有限责任公司,NXP美国公司
发明人	辛迪·雷德西马·辛普森;罗伯特·道格拉斯·米考拉;马修·T·赫里克;布勒特·卡罗琳·贝克尔;戴维·摩拉勒兹·皮那;爱德华·阿考斯塔;利那·超德胡瑞;马利金·阿兹拉克;辛迪·凯·高尔德博格;默罕穆德·拉比优尔·伊斯拉姆
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	付建军

摘要

本发明公开了一种在晶片上形成铜层的方法，其特征在于，将晶片设置在电镀室中，在第一时间周期期间，向晶片提供第一功率信号，第一功率信号包括这样的脉冲信号，即脉冲信号具有第一功率电平的接通时间周期以及第二功率电平的断开时间周期；在第二时间周期期间，向晶片提供第二功率信号，其中第二功率信号包括这样的脉冲信号，即脉冲信号具有第三功率电平的接通时间周期以及第四功率电平的断开时间周期；第二功率信号在第二功率信号施加期间使得电镀过程反向；在第三时间周期期间，向晶片提供正第三功率信号，其中第三功率信号包括这样的脉冲信号，即脉冲信号具有第五功率电平的接通时间周期以及第六功率电平的断开时间周期。本发明通过使在晶片开口的铜层中产生空隙的可能性实现最小，来改变电镀的均匀性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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