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半导体存储器装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910830679.X
  • IPC分类号:H01L27/11582H01L27/11578H01L27/11563H01L27/1157
  • 申请日期:
    2019-09-02
  • 申请人:
    东芝存储器株式会社
著录项信息
专利名称半导体存储器装置
申请号CN201910830679.X申请日期2019-09-02
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2020-09-22公开/公告号CN111697003A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/11582
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IPC结构图谱:
IPC分类号H01L27/11582;H01L27/11578;H01L27/11563;H01L27/1157查看分类表>
申请人东芝存储器株式会社申请人地址
日*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东芝存储器株式会社当前权利人东芝存储器株式会社
发明人铃木吟;山下宽树;藤山雄一郎;大桥拓司
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人杨林勳
摘要
根据一个实施例,一种半导体存储器装置包含:存储器单元阵列;第一绝缘层;及钝化膜。所述存储器单元阵列包含第一互连层及第一存储器柱。所述第一互连层沿基本上平行于半导体衬底的第一方向延伸。所述第一存储器柱穿过所述第一互连层且沿基本上垂直于所述半导体衬底的第二方向延伸。所述第一绝缘层设置于所述存储器单元阵列上方。所述钝化膜设置于所述第一绝缘层上且包含突出部,所述突出部至少位于所述存储器单元阵列上方且介于所述钝化膜与所述第一绝缘层之间。

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