透射电镜的原位加电砷化铟/锑化镓超晶格半导体样品的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710602961.3
IPC分类号：G01N1/28
申请日期：
2017-07-22
申请人：
复旦大学

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专利名称	透射电镜的原位加电砷化铟/锑化镓超晶格半导体样品的制备方法
申请号	CN201710602961.3	申请日期	2017-07-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-01-12	公开/公告号	CN107576541A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N1/28 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N1/00 取样；制备测试用的样品（用于自动分析的材料处理入G01N 35/00） G01N1/28 测试用样品的制备（将样品安装在显微镜载片上入G02B 21/34；电子显微镜中支承被分析的物品或材料的装置入H01J 37/20）	IPC分类号	G;0;1;N;1;/;2;8查看分类表>
申请人	复旦大学	申请人地址	上海市杨浦区邯郸路220号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	复旦大学	当前权利人	复旦大学
发明人	车仁超;毕寒;赵云昊;刘璐;赵雪冰;张捷
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	陆飞;陆尤

摘要

本发明属于纳米功能材料技术领域，具体为一种透射电镜的原位加电砷化铟/锑化镓超晶格半导体样品的制备方法。本发明由高温导电粘结胶制备、超晶格体材料透射样品和原位电极制备三部分组成。砷化铟/锑化镓化合物超晶格半导体通过导电胶对粘、机械减薄等过程，制备出适合透射电镜表征测试的样品，之后利用绝缘漆包线使之与四电极透射电镜样品台连接，即可开展透射电镜原位加电测试。砷化铟/锑化镓超晶格半导体作为经典实用的红外光电探测器件，研究其微观结构与载流子性质之间的物理机理和加电工作状态下载流子输运机理有助于红外探测器、量子级联激光器等光电器件的设计。

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