一种锗纳米管的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310244240.1
IPC分类号：C30B29/08;C30B29/62;C30B30/02
申请日期：
2013-06-19
申请人：
哈尔滨工业大学

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著录项信息

专利名称	一种锗纳米管的制备方法
申请号	CN201310244240.1	申请日期	2013-06-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-09-11	公开/公告号	CN103290474A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/08 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/08 锗〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;8;;;C;3;0;B;2;9;/;6;2;;;C;3;0;B;3;0;/;0;2查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	赵九蓬;刘旭松;李垚;刘昕;郝建
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所	代理人	牟永林

摘要

一种锗纳米管的制备方法，本发明涉及锗纳米管的制备方法。本发明要解决现有制备方法无法制备出纳米管长度以及和壁厚形貌可控制的锗纳米管的技术问题。方法：一、制备工作电极；二、制备电解液；三、还原锗；四、去除聚碳酸酯多孔膜。本发明提供的锗纳米管的制备方法，实现了常温下制备半导体锗纳米管，离子液体可回收利用，工艺简单，操作方便，对环境友好，安全性高。本发明用于制备锗纳米管。

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