锆钛氧化物栅介质层柔性底栅薄膜晶体管及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911114064.3
IPC分类号：--
申请日期：
2019-11-14
申请人：
天津大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	锆钛氧化物栅介质层柔性底栅薄膜晶体管及其制作方法
申请号	CN201911114064.3	申请日期	2019-11-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-04-17	公开/公告号	CN111029402A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	秦国轩;杨晓东;刘汪钰;闫宏光;周亮宇;黄逸蒙
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	刘国威

摘要

本发明属于柔性器件领域，为设计并制备一种基于锆钛氧化物的高介电常数栅介质层的底栅结构晶体管，极大丰富了晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供了可能。为此，本发明采取的技术方案是，锆钛氧化物栅介质层柔性底栅薄膜晶体管及其制作方法，塑料衬底PET上依次为底栅电极、栅介质层BZT、硅薄膜，硅薄膜间隔形成有N+掺杂区，两处N+掺杂区上方分别设置源极、漏极。本发明主要应用于柔性电子器件的设计制造场合。

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