一种原位清洗200mm-300mm外延设备基座背面的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610082473.X
IPC分类号：H01L21/02;C30B25/02;C30B29/06
申请日期：
2016-02-05
申请人：
浙江金瑞泓科技股份有限公司

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专利名称	一种原位清洗200mm-300mm外延设备基座背面的方法
申请号	CN201610082473.X	申请日期	2016-02-05
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-06-15	公开/公告号	CN105671631A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;C;3;0;B;2;5;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	浙江金瑞泓科技股份有限公司	申请人地址	浙江省宁波市保税东区0125-3地块变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江金瑞泓科技股份有限公司	当前权利人	浙江金瑞泓科技股份有限公司
发明人	王震;梁兴勃;陈华;李慎重;邬幸福;杨胜聪;王振波;田达淅
代理机构	上海泰能知识产权代理事务所	代理人	黄志达

摘要

本发明涉及一种原位清洗200mm‑300mm外延设备基座背面的方法，包括：在副进气口设置HCl/H2混合器，HCl和H2预先混合后通入反应腔室，控制外延生长时和反应腔室清洗时通入的HCl和H2的混合比例。本发明使得沉积在预热环和基座背面的硅和吸附的掺杂剂杂质得到了有效的清洗，可有效地抑制背景杂质的增加并提高基座上温度场的均匀性和稳定性，从而提升200mm‑300mm硅外延片质量及其稳定性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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