一种半导体晶圆的清洗方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710879304.3
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/311;B08B3/12;B08B3/08;B08B3/04
申请日期：
2017-09-26
申请人：
合肥新汇成微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种半导体晶圆的清洗方法
申请号	CN201710879304.3	申请日期	2017-09-26
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-03-13	公开/公告号	CN107799393A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;;;B;0;8;B;3;/;1;2;;;B;0;8;B;3;/;0;8;;;B;0;8;B;3;/;0;4查看分类表>
申请人	合肥新汇成微电子有限公司	申请人地址	安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	合肥新汇成微电子有限公司	当前权利人	合肥新汇成微电子有限公司
发明人	江富杰;张飞凡
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种半导体晶圆的清洗方法，包括以下步骤：提供半导体晶圆，半导体晶圆的正面涂布一层光刻胶；向半导体晶圆正面的光刻胶注入离子掺杂，以硬化该光刻胶；用浓氢氟酸溶剂刻蚀半导体晶圆背面的层次；去除半导体晶圆正面的光刻胶；旋转半导体晶圆并使兆声波发生器从半导体晶圆边缘向半导体晶圆中心运动并过半导体晶圆中心点，在兆声波发生器的运动过程中，改变兆声波发生器在半导体晶圆表面停留的时间；再向半导体晶圆的边缘表面喷涂去离子水和稀氢氟酸对所述半导体晶圆外表面进行清洗；对上述清洗的半导体晶圆进行吹干处理，吹干处理采用的气体为氮气，所述吹干处理采用的温度范围为45℃～65℃，所述吹干处理采用的时间范围为80s～160s。

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