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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200710120612.4
  • IPC分类号:H01L21/308
  • 申请日期:
    2007-08-22
  • 申请人:
    中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
申请号CN200710120612.4申请日期2007-08-22
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2009-02-25公开/公告号CN101373714
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/308
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;0;8查看分类表>
申请人中国科学院半导体研究所申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市洲明科技股份有限公司当前权利人深圳市洲明科技股份有限公司
发明人闫发旺;高海永;樊中朝;李晋闽;曾一平;王国宏;张会肖;王军喜;张扬
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人周国城
摘要
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法,包括:在用于氮化物外延生长的衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜;在所述二氧化硅或氮化硅膜上蒸镀一层金属薄层;退火热处理,在表面形成均匀分布的纳米尺度的金属颗粒;利用形成的纳米尺度的金属颗粒作为掩膜,刻蚀所述二氧化硅或氮化硅膜,形成纳米图形结构;以所述具有纳米图形结构的二氧化硅或氮化硅膜为掩膜刻蚀衬底,将纳米图形结构转移到衬底上;腐蚀去掉所述二氧化硅或氮化硅膜,清洗衬底,得到纳米级图形衬底。利用本发明,能降低氮化物外延层中的位错密度,提高外延材料的晶体质量,改善器件的性能,并有利于实现规模化和大面积制作。

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