基板及其制造方法以及显示装置及其制造方法

1.一种基板，包括：衬底基板，所述衬底基板至少包括粘合区和邻近所述粘合区的对准区；设置在所述衬底基板上的覆盖层，所述覆盖层的位于所述粘合区的部分包括粘合剂设置区和位于所述粘合剂设置区两侧的非粘合剂设置区，其特征在于，所述覆盖层的所述粘合剂设置区的顶部具有凹槽。
2.根据权利要求1所述的基板，其中，所述凹槽的宽度不小于5μm。
3.根据权利要求1所述的基板，其中，所述凹槽在所述衬底基板上的投影面积不超过所述粘合剂设置区在所述衬底基板上的投影面积的50％。
4.根据权利要求1所述的基板，其中，所述粘合剂设置区包括第一区域、第二区域和第三区域，其中所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间，并且其中，所述第二区域中的凹槽的深度大于所述第一区域和所述第三区域中的凹槽的深度。
5.根据权利要求4所述的基板，其中，所述第二区域相对于所述粘合剂设置区的比例的范围为1％～99％。
6.根据权利要求1所述的基板，其中，所述凹槽的深度相对于所述覆盖层厚度的比例范围为1％～99％。
7.根据权利要求1所述的基板，其中，所述基板进一步包括设置在所述衬底基板和所述覆盖层之间的第一凸起和第二凸起，并且其中，所述第一凸起和所述第二凸起位于所述粘合区中并且位于所述粘合剂设置区的两侧。
8.根据权利要求7所述的基板，其中，所述基板进一步包括位于所述衬底基板和所述覆盖层之间的第三凸起，其中，所述第三凸起位于所述对准区中，并且其中，所述第一凸起、所述第二凸起和所述第三凸起包括金属。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的基板，其中，所述覆盖层包括下列的至少一种：氧化硅、氮化硅以及其组合；
所述衬底基板包括玻璃基板。
10.根据权利要求9所述的基板，其中，所述覆盖层的厚度范围在500-2000埃之间。
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括根据权利要求1-10中任一项所述的基板。
12.一种基板的制造方法，包括：提供至少包括粘合区和邻近所述粘合区的对准区的衬底基板；在所述衬底基板上形成覆盖层，所述覆盖层位于所述粘合区的部分包括粘合剂设置区和位于所述粘合剂设置区两侧的非粘合剂设置区，其特征在于，所述基板的制造方法还包括在所述覆盖层的所述粘合剂设置区的顶部上形成凹槽。
13.根据权利要求12所述的基板的制造方法，其中，所述粘合剂设置区包括第一区域、第二区域和第三区域，其中所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间，并且其中，
形成所述凹槽包括将所述凹槽形成为所述第二区域中的凹槽的深度大于所述第一区域和所述第三区域中的凹槽的深度。
14.根据权利要求13所述的基板的制造方法，形成所述凹槽包括：
在所述覆盖层上形成光刻胶；
进行曝光处理和显影处理以在所述光刻胶上形成孔槽，其中，所述曝光处理是采用具有第一区、第二区和第三区的掩模来进行的，所述第一区的透光率大于所述第二区的透光率，且所述第二区的透光率大于所述第三区的透光率，并且其中，
在所述掩模的对应于所述第一区域和所述第三区域的部分中设置有交替排列的所述第二区和所述第三区，以在所述光刻胶的对应于所述第一区域和所述第三区域的区域中分别形成第一孔槽和第三孔槽，
在所述掩模的对应于所述第二区域的部分中设置有交替排列的所述第一区和所述第三区，以在所述光刻胶的对应于所述第二区域的区域中形成第二孔槽，
其中，所述第二孔槽的深度大于所述第一孔槽和所述第二孔槽的深度；
进行刻蚀，以穿过所述光刻胶在所述覆盖层的所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中形成所述凹槽；
去除所述光刻胶。
15.根据权利要求14所述的基板的制造方法，其中，所述掩模包括半色调掩模。
16.根据权利要求12-15中任一项所述的基板的制造方法，其中，所述第二区域占所述粘合剂设置区的比例为1％～99％。
17.根据权利要求12-15中任一项所述的基板的制造方法，其中，所述凹槽的宽度不小于5μm，并且其中，所述凹槽的深度相对于覆盖层厚度的比例范围为1％～99％。
18.根据权利要求12-15中任一项所述的基板的制造方法，其中，所述基板的制造方法进一步包括：在形成所述覆盖层之前，在所述衬底基板上形成金属层；
对所述金属层进行构图，以形成第一凸起、第二凸起和第三凸起，其中，所述第一凸起和所述第二凸起位于所述粘合区中并且位于所述粘合剂设置区的两侧，且所述第三凸起位于所述对准区中。
19.一种显示装置的制造方法，其特征在于，所述显示装置的制造方法包括根据权利要求12-18中任一项所述的基板的制造方法。

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