一种基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202021082665.9
IPC分类号：G01R33/09
申请日期：
2020-06-12
申请人：
中北大学

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著录项信息

专利名称	一种基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置
申请号	CN202021082665.9	申请日期	2020-06-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R33/09 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R33/00 测量磁变量的装置或仪器 G01R33/02 测量磁场或磁通量的方向或大小（G01R 33/20优先）〔4〕 G01R33/06 采用电磁器件 G01R33/09 磁电阻器件〔6〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;3;/;0;9查看分类表>
申请人	中北大学	申请人地址	山西省太原市学院路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中北大学	当前权利人	中北大学
发明人	李孟委;秦世洋;王旭虎
代理机构	北京惠智天成知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	刘莹莹

摘要

一种基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置，包括：磁体平台、磁场明暗栅组件和基板，磁体平台设置在磁场明暗栅组件顶部，基板设置在磁场明暗栅组件底部；磁场明暗栅组件包含：支撑框架、放大平台、支撑槽、高磁导率软磁隧尖；支撑槽滑动设置在支撑框架内，支撑槽水平设置，多个放大平台滑动设置在滑动槽内，放大平台底部设置高磁导率软磁隧尖。本实用新型的有益效果在于，通过高磁导率软磁隧尖将近似匀强的磁场强度聚集起来，形成一种稳定变化的高变化率磁场，使得磁敏电阻敏感到的磁场变化，在微弱的磁场变化下磁敏电阻的阻值会发生剧烈变化。同时，所设计的磁场明暗栅结构加工工艺简单、制作成本低、使用方便、可靠性好，适合微型化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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