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一种基于MgZnO/ZnO的高电子迁移率晶体管及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811574782.4
  • IPC分类号:H01L29/22;H01L29/225;H01L29/778;H01L21/34
  • 申请日期:
    2018-12-21
  • 申请人:
    广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
著录项信息
专利名称一种基于MgZnO/ZnO的高电子迁移率晶体管及其制备方法
申请号CN201811574782.4申请日期2018-12-21
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-06-30公开/公告号CN111354782A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/22IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;2;2;;;H;0;1;L;2;9;/;2;2;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;4查看分类表>
申请人广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司申请人地址
广东省佛山市顺德区北滘镇工业大道美的全球创新中心4栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广东美的白色家电技术创新中心有限公司,美的集团股份有限公司当前权利人广东美的白色家电技术创新中心有限公司,美的集团股份有限公司
发明人刘利书;冯宇翔
代理机构北京路浩知识产权代理有限公司代理人王文君;陈征
摘要
本发明涉及一种基于MgZnO/ZnO的高电子迁移率晶体管及其制备方法。所述高电子迁移率晶体管包括:自下而上设置的衬底、ZnO沟道层、MgZnO缓变势垒层、掺杂的势垒层和介电层;以及,在所述ZnO沟道层与所述MgZnO缓变势垒层之间的二维电子气体;位于所述介电层表面的源极和漏极;位于所述源极和漏极之间,并贯穿所述介电层、且底部嵌入所述掺杂的势垒层的栅极。本发明提出了一种基于宽禁带ZnO材料的高电子迁移率晶体管,在大幅减少能源消耗和原料采购成本的同时,还具有较为理想的半导体性能。

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