一种半导体器件参数测试装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202110777604.7
IPC分类号：G01R31/26
申请日期：
2021-07-09
申请人：
武汉工程大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种半导体器件参数测试装置
申请号	CN202110777604.7	申请日期	2021-07-09
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-15	公开/公告号	CN113504447A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6查看分类表>
申请人	武汉工程大学	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷一路206号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉工程大学	当前权利人	武汉工程大学
发明人	易先军;彭洪驰;梁音裔;周锐
代理机构	北京轻创知识产权代理有限公司	代理人	陈晓斌

摘要

本发明涉及一种半导体器件参数测试装置，包括微控制器、多路DA转换电路、功率放大电路、倍压电路、恒流电路、多路继电器线圈驱动电路、第一继电器KA1、第二继电器KA2、第三继电器KA3、第四继电器KA4、第五继电器KA5、限流电阻R1、第一取样电阻R2、第二取样电阻R3、第三取样电阻R4、第一取样电路、第二取样电路、第三取样电路、第四取样电路、多路AD转换电路、第一测试接口、第二测试接口以及第三测试接口；本发明将三极管以及二极管参数测量方案融合在一个系统之中；通过改变各个继电器线圈的通断控制相应继电开关的状态使得系统处于不同状态即可测量不同的参数，测量精度高，且在测量不同参数时共用电路结构，节约了硬件成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供