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以硅炔改性SiBCN为前驱体的陶瓷基复合材料及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510041187.4
  • IPC分类号:C04B35/80;C04B35/622
  • 申请日期:
    2015-01-27
  • 申请人:
    航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院
著录项信息
专利名称以硅炔改性SiBCN为前驱体的陶瓷基复合材料及其制备方法
申请号CN201510041187.4申请日期2015-01-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-05-06公开/公告号CN104591768A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/80IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;8;0;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院申请人地址
北京市丰台区南大红门路1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人航天材料及工艺研究所,中国运载火箭技术研究院当前权利人航天材料及工艺研究所,中国运载火箭技术研究院
发明人冯志海;胡继东;陶孟;孔磊;李军平;张国兵;孙新
代理机构中国航天科技专利中心代理人张丽娜
摘要
本发明涉及一种以硅炔改性SiBCN为前驱体的陶瓷基复合材料及其制备方法,属于陶瓷材料技术领域。本发明将聚硅乙炔以分子水平引入到SiBCN前驱体中制备硅炔改性SiBCN前驱体,可有效提高其复合材料陶瓷基体的致密性,并提高陶瓷产率,同时可使裂解产物具有优异的高温抗氧化性能。本发明将采用这类硅炔改性SiBCN前驱体为浸渍基体,以碳纤维为增强体,通过浸渍裂解法制备新型SiBCN陶瓷基复合材料。该复合材料具有良好的力学性能以及优异的抗氧化性能。

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