一种增强氮化硅薄膜张应力的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110150722.1
IPC分类号：H01L21/3105;H01L21/02;H01L21/66
申请日期：
2011-06-07
申请人：
上海华力微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种增强氮化硅薄膜张应力的方法
申请号	CN201110150722.1	申请日期	2011-06-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-04-18	公开/公告号	CN102420122A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/3105 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/31 在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L 21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择〔2，5〕 H01L21/3105 后处理〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;1;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	朱骏;张旭昇
代理机构	上海新天专利代理有限公司	代理人	王敏杰

摘要

本发明公开一种增强氮化硅薄膜张应力的方法，在一硅片的表面淀积有一氮化硅薄膜层，其中，利用一清洗液去除氮化硅表面自然氧化层，然后进行硅片表面氧化层膜厚测定分析，之后，若是硅片表面氧化层膜完成清洗去除之后所剩下的残膜的厚度不超出预先设定的厚度值，对氮化硅薄膜层进行紫外线处理；若是硅片表面氧化层膜完成清洗去除之后所剩下的残膜的厚度超出预先设定的厚度值，将超出预先设定厚度值的异常硅片隔离处理。本发明的一种增强氮化硅薄膜张应力的方法，通过依靠湿法工艺去除氮化硅薄膜的表面自然氧化层后直接进行应力增强处理（即紫外线处理），使氮化硅薄膜内部的氢能够顺利析出，从而提高氮化硅薄膜密度进而实现提高张应力的目标。

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