用于冷原子传感器的冷却系统及其相关冷却方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201980048044.2
IPC分类号：G21K1/00;G04F5/00;H05H3/00
申请日期：
2019-06-04
申请人：
泰勒斯公司

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专利名称	用于冷原子传感器的冷却系统及其相关冷却方法
申请号	CN201980048044.2	申请日期	2019-06-04
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-09	公开/公告号	CN112470235A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G21K1/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G21 核物理；核工程 G21K 未列入其他类目的粒子或电离辐射的处理技术；照射装置；γ射线或X射线显微镜〔2〕 G21K1/00 粒子或电离辐射的处理装置，如聚焦或慢化（电离辐射滤波器入G21K 3/00；中子、带电粒子、中性分子束或中性原子束的产生或加速入H05H 3/00至H05H 15/00）〔2〕	IPC分类号	G;2;1;K;1;/;0;0;;;G;0;4;F;5;/;0;0;;;H;0;5;H;3;/;0;0查看分类表>
申请人	泰勒斯公司	申请人地址	法国库尔布瓦市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	泰勒斯公司	当前权利人	泰勒斯公司
发明人	马修·杜邦-奈维
代理机构	北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种用于冷原子传感器的冷却系统(10)，包括‑二维冷却腔室，其表示为2D腔室(Ch2D)，保持在超高真空下，并至少部分地放置在具有Z轴的积分圆柱体(IC)内，所述积分圆柱体被配置成用第一各向同性光(IL1)照射所述2D腔室，所述2D腔室包括要冷却的原子(13)，‑三维冷却腔室，其表示为3D腔室(Ch3D)，保持在超高真空下，并通过孔(Op)连接到2D腔室，所述孔被配置成允许所述原子(13)通过基本沿所述Z轴移动而从所述2D腔室进入所述3D腔室，所述3D腔室至少部分地放置在积分球(IS)内，所述积分球被配置成用第二各向同性光(IL2)照射所述3D腔室。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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