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LED倒装芯片的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200510110475.7
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L21/607;B23K20/10
  • 申请日期:
    2005-11-17
  • 申请人:
    上海蓝光科技有限公司;华东师范大学
著录项信息
专利名称LED倒装芯片的制备方法
申请号CN200510110475.7申请日期2005-11-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2007-05-23公开/公告号CN1967884
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;7;;;B;2;3;K;2;0;/;1;0查看分类表>
申请人上海蓝光科技有限公司;华东师范大学申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路351号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海蓝光科技有限公司,华东师范大学当前权利人上海蓝光科技有限公司,华东师范大学
发明人董志江;靳彩霞;周武;丁晓民;黄素梅
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明公开了一种LED倒装芯片的制备方法,首先制备出具有适合共晶焊接电极的倒装LED,同时制备出相应尺寸的硅衬底,并在硅衬底上制作出供共晶焊接的金导电层及引出导电层,并在所述金导电层及引出导电层制作出超声金丝球焊点;然后,利用共晶焊接设备倒装机,将倒装LED与硅衬底焊接在一起。焊接时的工艺参数如下Die-Bond机超声波功率为0.6W~1.6W,焊接时间为100ms~500ms,焊接温度为50℃~250℃,Wire-Bond球的尺寸为Φ80μm或Φ100μm~Φ160μm。本发明可使大功率LED倒装芯片降低电压,使LED产生的热量降低,提高倒装芯片的可靠性。

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