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具有缺陷减少的Ⅲ族氮化物结构的集成电路管芯以及与其相关联的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201480083474.5
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/318;H01L21/336
  • 申请日期:
    2014-12-17
  • 申请人:
    英特尔公司
著录项信息
专利名称具有缺陷减少的Ⅲ族氮化物结构的集成电路管芯以及与其相关联的方法
申请号CN201480083474.5申请日期2014-12-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-08-01公开/公告号CN107004706A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人英特尔公司申请人地址
美国加利福尼亚 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英特尔公司当前权利人英特尔公司
发明人S·达斯古普塔;H·W·田;M·拉多萨夫列维奇;S·K·加德纳;S·H·宋;R·S·周;R·皮拉里塞泰
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人暂无
摘要
本公开内容的实施例涉及集成电路(IC)管芯。在实施例中,IC管芯可以包括半导体基板和设置在半导体基板之上的缓冲层。缓冲层可以具有形成在其中的多个开口。在实施例中,管芯还可以包括多个Ⅲ族氮化物结构。多个Ⅲ族氮化物结构中的个体Ⅲ族氮化物结构可以包括设置在多个开口中的相应的开口中的下部和设置在相应的开口之上的上部。在实施例中,上部可以包括在缓冲层的表面之上从相应的开口的侧壁径向延伸以形成围绕相应的开口的外围的基底。可以描述和/或要求保护其它实施例。

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