衰减相移掩模版及其制程方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011136648.3
IPC分类号：G03F1/32;G03F1/26;G03F1/54;G03F1/80;G03F1/76
申请日期：
2020-10-22
申请人：
泉芯集成电路制造(济南)有限公司

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著录项信息

专利名称	衰减相移掩模版及其制程方法
申请号	CN202011136648.3	申请日期	2020-10-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-18	公开/公告号	CN112099308A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/32 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/26 相移掩膜〔PSM〕；PSM空白；其制备〔2012.01〕 G03F1/32 衰减 PSM〔att-PSM〕，例如半色调PSM或者有半透明相移部分的PSM；其制备〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;3;2;;;G;0;3;F;1;/;2;6;;;G;0;3;F;1;/;5;4;;;G;0;3;F;1;/;8;0;;;G;0;3;F;1;/;7;6查看分类表>
申请人	泉芯集成电路制造(济南)有限公司	申请人地址	山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	泉芯集成电路制造(济南)有限公司	当前权利人	泉芯集成电路制造(济南)有限公司
发明人	陈庆煌;柯思羽;刘志成;王见明
代理机构	北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	董艳芳

摘要

本申请提供一种衰减相移掩模版及其制程方法，涉及半导体制程技术领域。本申请通过提供包括相对设置的第一表面及第二表面的透明基板，接着在透明基板的第一表面上形成遮光膜层，并遮光膜层上蚀刻出用于表示目标掩模图案的图案沟槽，得到待处理掩模结构，而后在待处理掩模结构的与第二表面相背离的表面上沉积生长相移层，最后对生长出的相移层进行蚀刻，使残留的相移层仅附着在图案沟槽的槽壁上，使得到的衰减相移掩模版与传统衰减相移掩模版结构明显不同，无需担心相移层在蚀刻操作下会在不同位置处表现出不同的厚度尺寸，以确保制备出的衰减相移掩模版能够达到预期衰减数值，提升掩模版制备良品率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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