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记忆芯片制造方法及其构造

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03156894.7
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2003-09-11
  • 申请人:
    讯钛科技有限公司
著录项信息
专利名称记忆芯片制造方法及其构造
申请号CN03156894.7申请日期2003-09-11
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2005-03-16公开/公告号CN1595628
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人讯钛科技有限公司申请人地址
台湾省台北市士林区后港街96号4楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人讯钛科技有限公司当前权利人讯钛科技有限公司
发明人李文富
代理机构中国商标专利事务所有限公司代理人万学堂
摘要
本发明是关于一种记忆芯片制造方法及其结构,尤其是指一种可以降低制作成本并提高生产良率的记忆芯片制造方法及其结构。其制造方法包括有芯片设置步骤、铝导线打线步骤、测试步骤、封胶步骤;而本发明的结构具有一基板,基板的上、下侧设置有铜金属层、于铜金属层上依序设置有镍金属层以及金金属层,于金金属层上设置芯片,芯片及金金属层间设置有铝导线且该铝导线乃贯穿过金金属层连接至镍金属层,经由上述的方法及结构,本发明可在铝导线打线后即进行测试以提高良率,而导线采用的是铝金属,且不需在芯片上设置金球,因此可降低金金属的使用量以降低生产成本。

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