对多孔质膜进行蚀刻的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711202249.0
IPC分类号：H01J37/32;H01L21/311
申请日期：
2016-04-20
申请人：
东京毅力科创株式会社

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引证文献

著录项信息

专利名称	对多孔质膜进行蚀刻的方法
申请号	CN201711202249.0	申请日期	2016-04-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-03-02	公开/公告号	CN107749389A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社	当前权利人	东京毅力科创株式会社
发明人	田原慈;西村荣一;M·巴克拉诺夫;L·张;J-F·德马尔内夫
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	龙淳;王磊

摘要

本发明提供一种对具有细孔的多孔质膜进行蚀刻的方法，包括：重复实施包括如下工序的动作顺序的步骤：向收纳有等离子体处理装置的处理容器内供给包含处理气体的第一气体的工序，向所述处理容器内供给第二气体的工序，和在所述处理容器内生成所述多孔质膜的蚀刻用的第二气体的等离子体的工序；以及在所述动作顺序中设定载台的温度，使所述处理气体具有1Torr以下的饱和蒸气压的步骤，其中，在设定所述载台的温度时，所述载台的温度根据使用被液化的处理气体的所述饱和蒸气压和绝对温度的实测值的外延而确定、或者利用由安托万蒸气压经验式规定的所述饱和蒸气压与所述绝对温度的关系的计算而确定。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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