电容的下电极的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN98105348.3
IPC分类号：--
申请日期：
1998-02-27
申请人：
联诚积体电路股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	电容的下电极的制造方法
申请号	CN98105348.3	申请日期	1998-02-27
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	1999-09-01	公开/公告号	CN1227410
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	联诚积体电路股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	联华电子股份有限公司	当前权利人	联华电子股份有限公司
发明人	施俊吉;黄修文;洪允锭;陈立哲
代理机构	柳沈知识产权律师事务所	代理人	陶凤波

摘要

一种电容的下电极的制造方法包括：形成第一介电层、氮化硅层与氧化层以覆盖基底。形成第一导体层。形成第一半球型硅晶粒层与第二介电层。对第二介电层、第一半球型硅晶粒层与第一导体层构图。形成第二导体层与第二半球型硅晶粒层。去除第二半球型硅晶粒层与第二导体层，以及去除第二介电层，直至暴露出第一半球型硅晶粒层。本发明的方法可避免回蚀工艺损害第一半球型硅晶粒层，并且可完全消除下电极之间的微细连接现象。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供