快闪存储器件的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610098827.6
IPC分类号：H01L21/8247;H01L21/762
申请日期：
2006-07-13
申请人：
海力士半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	快闪存储器件的制造方法
申请号	CN200610098827.6	申请日期	2006-07-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-08-15	公开/公告号	CN101017798
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8247	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人	海力士半导体有限公司	申请人地址	韩国京畿道利川市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	海力士半导体有限公司	当前权利人	海力士半导体有限公司
发明人	玄灿顺
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	杨生平;杨红梅

摘要

根据一实施方案，形成非易失性存储器件的方法包括通过刻蚀衬底以形成第一和第二沟道。第一和第二沟道填充有绝缘材料以形成第一和第二层隔离结构。在第一和第二隔离结构上方和第一和第二隔离结构之间形成导电层，以形成浮动栅极。刻蚀导电层和第一隔离结构形成具有上部和下部的第三沟道，所述上部具有垂直侧壁，所述下部具有倾斜侧壁。第三沟道填充有导电材料以形成控制栅极。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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