首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

制造半导体结构的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711206711.4
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/265
申请日期：
2017-11-27
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制造半导体结构的方法
申请号	CN201711206711.4	申请日期	2017-11-27
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2018-12-11	公开/公告号	CN108987254A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	毕诗伟;林群智;陈彦羽
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	徐金国

摘要

一种制造半导体结构的方法，包含沉积介电层于栅极堆叠上，移除一部分的栅极堆叠以于介电层中形成沟槽，沉积绝缘层于沟槽内，沉积粘着层于绝缘层上，以及于粘着层上执行含氢等离子处理。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供