基于几何贝尔相位的三功能超表面集成器件及其设计方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911332475.X
IPC分类号：H01Q15/00;H01Q15/12
申请日期：
2019-12-22
申请人：
中国人民解放军空军工程大学

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著录项信息

专利名称	基于几何贝尔相位的三功能超表面集成器件及其设计方法
申请号	CN201911332475.X	申请日期	2019-12-22
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-04-03	公开/公告号	CN110957581A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q15/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q15/00 用于对天线辐射波进行反射、折射、绕射或极化的装置，例如准光学装置（用于改变方向性的可变装置入H01Q 3/00；用于引导电波的此种装置的构成入H01P 3/20；用于调制的可变装置入H03C 7/02）〔1，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;Q;1;5;/;0;0;;;H;0;1;Q;1;5;/;1;2查看分类表>
申请人	中国人民解放军空军工程大学	申请人地址	陕西省西安市长乐东路甲字1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军空军工程大学	当前权利人	中国人民解放军空军工程大学
发明人	许河秀;张迟犇;王光明
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	陆飞;陆尤

摘要

本发明属于超表面电磁调控技术领域，具体为一种基于几何贝尔相位的三功能超表面集成器件及其设计方法。本发明器件由M*M个超表面单元周期延拓组成；超表面单元为三层金属结构，由上中下三层金属和两层介质板交替层叠构成；其中，上下层金属结构均包含双开口环谐振器和折叠H形结构两种亚波长单元结构，中间层金属结构为刻蚀闭合圆环槽的地板结构；双开口环谐振器工作频段为f1，折叠H形结构工作频段为f2；器件在前向激发时，f1处实现反射电磁功能F1，f2处实现反射电磁功能F2；后向激发时，f1处实现反射电磁功能F3，f2处实现反射电磁功能F2。本发明三功能集成器件可以提供透、反射一体的全空间电磁操控与功能，具有集成度高、体积小、效率高等优势。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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