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半导体器件制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510128580.3
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L21/3213
  • 申请日期:
    2005-11-29
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称半导体器件制造方法
申请号CN200510128580.3申请日期2005-11-29
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-07-05公开/公告号CN1797739
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;1;3查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人冈本悟;藤井照幸;大沼英人;石塚章广
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人张雪梅;梁永
摘要
本发明的目标是提供包含具有优选形状的布线的半导体器件。在制造方法中,包含步骤:形成连接到元件的第一导电层并在该导电层上形成第二导电层;在该第二导电层上形成抗蚀剂掩模;使用该掩模进行干法蚀刻处理该第二导电层;并使用剩下的掩模进行湿法蚀刻来处理该第一导电层,其中在该干法蚀刻中,第二导电层的蚀刻速率高于第一导电层的蚀刻速率,且其中在该湿法蚀刻中,第二导电层的蚀刻速率等于或高于第一导电层的蚀刻速率。

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