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一种覆铜硅基板

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201220401857.0
  • IPC分类号:H01L23/14;H01L23/373
  • 申请日期:
    2012-08-14
  • 申请人:
    武汉利之达科技有限公司
著录项信息
专利名称一种覆铜硅基板
申请号CN201220401857.0申请日期2012-08-14
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/14IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;1;4;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3查看分类表>
申请人武汉利之达科技有限公司申请人地址
湖北省武汉市东湖开发区高新四路40号葛洲坝太阳城23号楼103室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉利之达科技股份有限公司当前权利人武汉利之达科技股份有限公司
发明人陈明祥;黄瑾
代理机构华中科技大学专利中心代理人曹葆青
摘要
本实用新型属于电子封装技术,涉及一种功率器件封装用覆铜硅基板。该基板在硅片上表面设有热压键合而成的芯片焊接区铜层和上电极引线区铜层,在硅片下表面设有热压键合而成的导热和应力补偿铜层,以及下电极引线区铜层,上、下电极引线铜层通过硅片内孔中的铜柱实现互连,各铜层的厚度相等,且均为由铜箔表面选择性腐蚀后在硅片表面键合制备而成的铜层。本实用新型通过在铜箔表面选择性腐蚀得到纳米多孔铜层,并以此铜层作为铜箔与硅片间的热压键合层。由于纳米尺度效应,可以在较低温度和压力下实现铜箔-硅片间的高强度键合。并且由于纳米多孔结构的存在,可有效缓解金属铜层与硅片间的热应力,提高覆铜硅基板的使用性能与可靠性,满足功率器件封装散热需求。

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