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浅沟槽隔离结构的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810207518.7
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2008-12-22
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称浅沟槽隔离结构的制造方法
申请号CN200810207518.7申请日期2008-12-22
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-06-23公开/公告号CN101752291A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人肖德元
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人李丽
摘要
本发明涉及一种浅沟槽隔离结构的制造方法,包括步骤:在半导体衬底上形成浅沟槽;在半导体衬底上沉积电介质材料,所述电介质材料填充所述浅沟槽;利用含氟的等离子体刻蚀所述半导体衬底上的电介质材料;利用含氮的等离子体处理所述半导体衬底上的电介质材料。与现有技术相比,本发明采用含氮的等离子体与电介质材料表面残留的氟反应来去除氟残留,从而实现既去除氟离子,又不会引入氢离子,避免引入氢离子所带来的问题。

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