合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02121115.9
IPC分类号：--
申请日期：
2002-06-07
申请人：
清华大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法
申请号	CN02121115.9	申请日期	2002-06-07
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-12-11	公开/公告号	CN1384047
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市－82信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	李亚栋;彭卿;董亚杰
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法，该方法是以过渡金属锌、镉、铅、锰、钴、镍、铜、银、锑、铋的可溶性盐(如硝酸盐、硫酸盐、氯化物)与亚硒酸或可溶性的亚硒酸盐(如亚硒酸钠、亚硒酸铵)，或与亚碲酸或可溶性的亚碲酸盐(如亚碲酸钠、亚碲酸铵)为原料，以水合肼、硼氢化钠、硼氢化钾、羟胺或硫酸肼为还原剂，在密闭反应器中，于100～200℃温度条件下水热还原反应2小时到5天，可合成上述多种金属的硒化物、碲化物半导体材料。本发明克服了现有方法合成硒化物、碲化物半导体材料需要高温，原料剧毒，工艺复杂等问题；具有原料价廉易得，设备简单，易于实现控制，工艺重复性好，产品质量稳定，操作安全可靠的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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