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发光二极管组件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710140456.8
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2007-08-14
  • 申请人:
    泰谷光电科技股份有限公司
著录项信息
专利名称发光二极管组件及其制造方法
申请号CN200710140456.8申请日期2007-08-14
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-02-18公开/公告号CN101369616
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人泰谷光电科技股份有限公司申请人地址
中国台湾南投县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人泰谷光电科技股份有限公司当前权利人泰谷光电科技股份有限公司
发明人林宏诚;李家铭;綦振瀛
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人章社杲;吴贵明
摘要
本发明涉及一种可以提高发光二极管光提取效率的发光二极管组件及其制造方法,本发明利用蚀刻基板形成具有自然晶格斜面的凹槽,再使发光二极管磊晶层结构选择性地生长在该凹槽内,形成一种具有多边斜面的发光二极管组件,使发光二极管组件通过多边斜面减少内部全反射的几率,提高发光二极管的光提取效率。

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